No.12065
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| 仕様、特徴 | Si waferへのﾒｯｷﾊﾟﾀｰﾝ形成して頂けるところを探しています。 加工内容 ・加工手順：Si waferへ電解ﾒｯｷ用ｽﾊﾟｯﾀ膜を形成 -> ﾚｼﾞｽﾄにﾌｫﾄﾘｿでﾊﾟﾀｰﾝ形成 -> ﾊﾟﾀｰﾝ部のﾒｯｷ -> ﾚｼﾞｽﾄ剥離 ・枚数：２０枚位（ﾊﾞｯﾁ枚数で相談可） ・Wafer ｻｲｽﾞ：8inch ・ﾊﾟﾀｰﾝ：ﾊﾟｯﾄﾞｻｲｽﾞ200*60um t 5um(ﾒｯｷ厚) ：ﾋﾟｯﾁ90um ＊試作ﾃｽﾄの為、今回は精度を気にしません。よって価格を下げたいのでﾌｨﾙﾑﾏｽｸでの加工をお願いします。 |
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| 案件種別 |  リピート |
納入先 | 日本 / 埼玉県 |
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| 発注分野 | その他 | 生産分類 | 試作 |
| 見積基準数 | 希望価格 | 円 | |
| 掲載日 / 応募期限 | 2003-06-24 / 2003-07-08 17時 | 納期 | 2026-09-09 |
| 発注者属性 |
ＮＣ
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| 担当者名 | この情報はエミダス有料会員様のみご覧いただけます。 |
