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◆SiCの超精密研削加工について◆
SiCウエハの加工工程は研削の後にCMP工程(メカノケミカルポリッシュ工程)が入ります。
SiCはとても硬い材料なので、CMP工程では加工速度が遅く、1時間に0.1μm程度の加工除去しかできません。
従ってCMPの前工程でウエハをどこまで仕上げているかが加工プロセスの鍵を握っているのです。
ムーヴではCMP工程の作業を非常にやりやすくするために、研削工程で下記の要素を満たした加工を行っています。
・ウエハの平坦度が良いこと
・加工ダメージ層の深さが浅いこと
・面粗度が良いこと
・面内分布が良いこと(ウエハ内のどのポイントでも良い精度であること)
・スクラッチが無いこと
このような加工を行うためには、研削盤の性能が極めて重要です。
SiCの加工ならムーヴへお任せください。
▼SiC半導体の加工事例はこちら▼
https://move-advance.co.jp/project/sic%e3%82%a6%e3%82%a7%e3%83%8f%e7%ad%89%e3%81%ae%e5%b9%b3%e5%9d%a6%e5%8c%96%e3%83%bb%e9%8f%a1%e9%9d%a2%e7%a0%94%e5%89%8a/
◆難削材の加工・超精密加工・機密性の高い加工なら◆
◆◆株式会社ムーヴへお任せください◆◆
試作加工から量産化工、内製化工まで幅広くお役に立ちます。
【対応可能材質】
・鋼材(SKD-11・STAVAX・HPM38・S55C・YXR7・SKH51・SKH55・S45Cなど)
・クリアセラム
・セラミックス
・SiC
・超硬合金
・SUS
・鋳物
・銅
・アルミ
・真鍮
・インコネル
・無電解ニッケルリンメッキ
・純ニッケル
・グラナイト
・その他金属・難削材など
【対応可能加工】
・鏡面研削加工
・平面研削加工
・成形研削加工
・形状創成加工
・溝加工
・コンタリング加工
・クラウニング加工
・ロータリー研削加工
・微細加工
・能率加工
など
【加工機について】
十数台の超精密マシンを常時設置。
使用するマシンの分解能は0.1μmから0.1nmまで対応。
・門型成形平面研削盤(10000×2500)
・門型成形平面研削盤(4000×2500)
・門型成形平面研削盤(4200×800)
・門型平面研削盤(1200×600)
・平面研削盤(800×500)
・成形平面研削盤(800×400)
・成形平面研削盤(500×200)
・ロータリーマルチ研削盤(φ800)
・定圧定量複合制御両頭研削盤(φ205)
・非球面加工機(φ200)
▼加工に関するお問い合わせはこちら▼
https://move-advance.co.jp/contact/
まずはご検討中の加工に関する精度、サイズ、素材などについてお聞かせください。
会社名 |
株式会社 ムーヴ (むーゔ) |
エミダス会員番号 | 96759 |
---|---|---|---|
国 | 日本 | 住所 |
日本 岐阜県 関市 |
電話番号 | ログインをすると表示されます | FAX番号 | ログインをすると表示されます |
資本金 | 年間売上高 | ||
社員数 | 担当者 | 渡辺 一人 |
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